Electroplating rhyddhau arc tiwb gwresogi trydan

Electroplating rhyddhau arc tiwb gwresogi trydan

Yn gyffredinol, mae electroplatio gwactod saith lliw yn defnyddio'r deunyddiau crai i'w pentyrru i mewn i darged plât, sy'n sefydlog ar yr electrod negyddol. Rhoddir y swbstrad ar yr wyneb anodized sy'n wynebu'r wyneb targed, 3 cm i ffwrdd o'r targed. Ar ôl i feddalwedd y system dynnu pwmp gwactod, mae'n llenwi â 10-1 Pa vapor (argon fel arfer), ac yn cymhwyso sawl mil o folt o foltedd gweithio rhwng yr electrod negyddol a'r anodization, a fydd yn achosi gollyngiad arc rhwng y ddwy ochr. Mae'r ïonau positif a achosir gan wefriad a gollyngiad yn rhedeg i'r electrod negyddol o dan effaith y maes electrostatig, ac yn gwrthdaro â'r moleciwlau ar wyneb y targed. Gelwir y moleciwlau targed sy'n dianc o'r arwyneb targed yn foleciwlau sputtering magnetron, ac mae eu hegni cinetig yn yr ystod o 1 i ddegau o foltiau electronau. . Mae moleciwlau sputtering Magnetron yn cael eu pentyrru ar wyneb y swbstrad i mewn i broses platio gwactod lliwgar.

Electroplating tiwb gwresogi trydan gronynnau ynni uchel electron haen solet arwyneb solet

Wrth ddefnyddio'r haen arwyneb solet gronynnau electron egni uchel, dylai'r gronynnau yn yr haen arwyneb solet gael egni cinetig a dianc o'r haen wyneb a chronni ar y swbstrad. Defnyddiwyd cyflwr sputtering magnetron gyntaf ar gyfer technoleg cotio wyneb ym 1870, ac ar ôl 1930, fe'i defnyddiwyd yn raddol mewn cynhyrchu diwydiannol oherwydd y gyfradd dyddodiad uwch.

Electroplating tiwb gwresogi trydan lliwgar gwactod electroplating pig ffwrnais yn meddu ar strwythur moleciwlaidd ffynhonnell trawst

Mae'r ffwrnais pigo electroplatio gwactod saith lliw wedi'i gyfarparu â ffynhonnell trawst strwythur moleciwlaidd. Pan gaiff ei gynhesu i dymheredd penodol o dan bwmp gwactod uchel iawn, mae'r elfennau yn y ffwrnais yn llifo tuag at y swbstrad mewn strwythur moleciwlaidd tebyg i belydr. Mae'r swbstrad yn cael ei gynhesu i dymheredd penodol, a gall y strwythur moleciwlaidd a adneuwyd ar y swbstrad fudo, ac mae'r grisial yn tyfu ac yn datblygu yn nhrefn cysonyn dellt y swbstrad. Gall y dull epitaxy trawst strwythur moleciwlaidd gael purdeb uchel y gymhareb wirio stoichiometrig organig ofynnol. Mae cyfradd twf ffilm grisial sengl gemegol, ffilm blastig yn gymharol araf a gellir trin y gyfradd ddatblygu mewn 1 eiliad un ochr. Trwy drin y gofodwr, gellir gwneud ffilm blastig grisial sengl o'r cyfansoddiad a'r strwythur dymunol yn union. Defnyddir epitaxy trawst strwythur moleciwlaidd yn helaeth gan wneuthurwyr electroplatio i gynhyrchu gwahanol gydrannau integredig optegol a gwahanol ffilmiau plastig strwythuredig cyson superlattice.

www.superbheater.com